Будущее флеш-памяти – за трехмерными чипами
Обычные полупроводниковые технологии в ближайшее время подойдут к пределу, после которого дальнейшее уплотнение кристаллов NAND без внесения изменений в их компоновку станет невозможным.
Поэтому производителям флеш-памяти, заинтересованным в наращивании ёмкости предлагаемых устройств, в ближайшее время придётся переориентироваться на выпуск чипов NAND с трёхмерной структурой, утверждается в аналитическом отчёте компании IHS.
Как ожидается, уже к 2017 году около двух третей выпускаемых микросхем флеш-памяти – примерно 65,2 процента – будут обладать трёхмерной компоновкой. На данный же момент доля объёмных чипов NAND не превышает и одного процента. Согласно прогнозу, распространение новой технологии будет происходить достаточно быстрыми темпами. И если в 2014 году доля трёхмерной флеш-памяти составит 5,2 процента, то уже в 2015 она вырастет до 30,2 процентов. Переломным же станет 2016 год, когда усреднённая доля чипов с 3D-структурой в общем объёме выпускаемой NAND-памяти дойдёт до 49,8 процентов.
Проблема с традиционными планарными технологическими процессами заключается в том, что уже через одну или две итерации уменьшения производственных норм выпуск кристаллов NAND-памяти может стать затруднителен из-за быстрой деградации ячеек. Поэтому для создания продуктов, обладающих высокой плотностью при сохранении приемлемой стоимости, производители флеш-памяти будут вынуждены прибегнуть к объёмной компоновке, которая даёт простое решение намечающихся проблем.
Немаловажно, что используемое при этом «многоуровневое» размещение ячеек NAND не потребует замены львиной доли используемого технологического оборудования, так что переориентация производства окажется относительно безболезненным мероприятием.
К настоящему моменту о своих достижениях в области подготовки к серийному выпуску 3D-микросхем NAND уже заявили такие крупнейшие игроки рынка флеш-памяти, как Samsung Electronics и SK Hynix. Samsung даже начал коммерческое производство 3D-чипов V-NAND и анонсировал пару корпоративных твердотельных накопителей Samsung V-NAND SSD на их основе. SK Hynix же представит свои объёмные устройства флеш-памяти в этом году несколько позднее. Другие производители, включая SanDisk, Micron и Toshiba, пока сосредоточены на совершенствовании традиционных технологий, и до начала экспериментов с 3D NAND предложат как минимум ещё одно поколение планарных микросхем.
Поэтому производителям флеш-памяти, заинтересованным в наращивании ёмкости предлагаемых устройств, в ближайшее время придётся переориентироваться на выпуск чипов NAND с трёхмерной структурой, утверждается в аналитическом отчёте компании IHS.
Как ожидается, уже к 2017 году около двух третей выпускаемых микросхем флеш-памяти – примерно 65,2 процента – будут обладать трёхмерной компоновкой. На данный же момент доля объёмных чипов NAND не превышает и одного процента. Согласно прогнозу, распространение новой технологии будет происходить достаточно быстрыми темпами. И если в 2014 году доля трёхмерной флеш-памяти составит 5,2 процента, то уже в 2015 она вырастет до 30,2 процентов. Переломным же станет 2016 год, когда усреднённая доля чипов с 3D-структурой в общем объёме выпускаемой NAND-памяти дойдёт до 49,8 процентов.
Проблема с традиционными планарными технологическими процессами заключается в том, что уже через одну или две итерации уменьшения производственных норм выпуск кристаллов NAND-памяти может стать затруднителен из-за быстрой деградации ячеек. Поэтому для создания продуктов, обладающих высокой плотностью при сохранении приемлемой стоимости, производители флеш-памяти будут вынуждены прибегнуть к объёмной компоновке, которая даёт простое решение намечающихся проблем.
Немаловажно, что используемое при этом «многоуровневое» размещение ячеек NAND не потребует замены львиной доли используемого технологического оборудования, так что переориентация производства окажется относительно безболезненным мероприятием.
К настоящему моменту о своих достижениях в области подготовки к серийному выпуску 3D-микросхем NAND уже заявили такие крупнейшие игроки рынка флеш-памяти, как Samsung Electronics и SK Hynix. Samsung даже начал коммерческое производство 3D-чипов V-NAND и анонсировал пару корпоративных твердотельных накопителей Samsung V-NAND SSD на их основе. SK Hynix же представит свои объёмные устройства флеш-памяти в этом году несколько позднее. Другие производители, включая SanDisk, Micron и Toshiba, пока сосредоточены на совершенствовании традиционных технологий, и до начала экспериментов с 3D NAND предложат как минимум ещё одно поколение планарных микросхем.